H.H. Radamson: шукати на сайті Z-Library

Andreas C. Fischer, Lyubov M. Belova, Yuri G. M. Rikers, B. Gunnar Malm, Henry H. Radamson, Mohammadreza Kolahdouz, Kristinn B. Gylfason, Göran Stemme, Frank Niklaus

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 401 KB

english, 2009

3D Free-Form Patterning of Silicon by Ion Implantation, Silicon Deposition, and Selective Silicon Etching

Журнал:

Advanced Functional Materials

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.22 MB

english, 2012

Selective Si Etching Using HCl Vapor

Isheden, C, Hellström, P E, Radamson, H H, Zhang, S-L, Östling, M

Журнал:

Physica Scripta

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 379 KB

english, 2004

CMOS Past, Present and Future || Basics of metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET)

Radamson, H.H.

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 818 KB

english, 2018

State of the Art and Future Perspectives in Advanced CMOS Technology

Radamson, Henry H., Zhu, Huilong, Wu, Zhenhua, He, Xiaobin, Lin, Hongxiao, Liu, Jinbiao, Xiang, Jinjuan, Kong, Zhenzhen, Xiong, Wenjuan, Li, Junjie, Cui, Hushan, Gao, Jianfeng, Yang, Hong, Du, Yong, X

Журнал:

Nanomaterials

Рік:

2020

Файл:

PDF, 27.29 MB

2020

Strain characterization of Ge1−xSix and heavily B-doped Ge layers on Ge(001) by two-dimensional reciprocal space mapping

H.H. Radamson, K.B. Joelsson, W.-X. Ni, J. Birch, J.-E. Sundgren, L. Hultman, G.V. Hansson

Журнал:

Infrared Physics & Technology

Рік:

1996

Мова:

english

Файл:

PDF, 487 KB

english, 1996

Quantum structure based infrared detector research and development within Acreo’s centre of excellence IMAGIC

J.Y. Andersson, L. Höglund, B. Noharet, Q. Wang, P. Ericsson, S. Wissmar, C. Asplund, H. Malm, H. Martijn, M. Hammar, O. Gustafsson, S. Hellström, H. Radamson, P.O. Holtz

Журнал:

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 399 KB

english, 2010

The performance improvement evaluation for SiGe-based IR detectors

M. Kolahdouz, A. Afshar Farniya, M. Östling, H.H. Radamson

Журнал:

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 697 KB

english, 2011

Investigation of the interface properties of MOVPE grown AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) structures on sapphire

T. Aggerstam, S. Lourdudoss, H.H. Radamson, M. Sjödin, P. Lorenzini, D.C. Look

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 258 KB

english, 2006

Dopant incorporation in thin strained Si layers implanted with Sb

A.Yu. Azarov, A. Zamani, H.H. Radamson, L. Vines, A.Yu. Kuznetsov, A. Hallén

Журнал:

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 427 KB

english, 2010

Liquid phase epitaxial growth of SiC

M Syväjärvi, R Yakimova, H.H Radamson, N.T Son, Q Wahab, I.G Ivanov, E Janzén

Журнал:

Journal of Materials Science: Materials in Electronics

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 707 KB

english, 1999

High boron incorporation in selective epitaxial growth of SiGe layers

R. Ghandi, M. Kolahdouz, J. Hållstedt, Jun Lu, R. Wise, H. Wejtmans, M. Östling, H. H. Radamson

Журнал:

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 267 KB

english, 2007

Kinetic Model of SiGe Selective Epitaxial Growth using RPCVD Technique

Kolahdouz, M., Maresca, L., Ghandi, R., Khatibi, A., Radamson, H. H.

Журнал:

Journal of The Electrochemical Society

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.46 MB

english, 2011

Substrate engineering for Ni-assisted growth of carbon nano-tubes

Z. Kolahdouz, M. Kolahdouz, H. Ghanbari, S. Mohajerzadeh, S. Naureen, H.H. Radamson

Журнал:

Materials Science and Engineering: B

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.11 MB

english, 2012

Kinetic Modeling of Low Temperature Epitaxy Growth of SiGe Using Disilane and Digermane

Kolahdouz, M., Salemi, A., Moeen, M., Östling, M., Radamson, H. H.

Журнал:

Journal of The Electrochemical Society

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 466 KB

english, 2012

Wafer warpage, crystal bending and interface properties of 4H-SiC epi-wafers

Ellison, A., Radamson, H., Tuominen, M., Milita, S., Hallin, C., Henry, A., Kordina, O., Tuomi, T., Yakimova, R., Madar, R., Janzén, E.

Журнал:

Diamond and Related Materials

Рік:

1997

Мова:

english

Файл:

PDF, 774 KB

english, 1997

[IEEE 2014 15th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS) - Stockholm, Sweden (2014.04.7-2014.04.9)] 2014 15th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS) - Fabrication of strained Ge on insulator via room temperature wafer bonding

Asadollahi, A., Radamson, H., Zabel, T., Hellstrom, P.-E, Ostling, M.

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 873 KB

english, 2014

Integration of highly-strained SiGe materials in 14nm and beyond nodes FinFET technology

Wang, Guilei, Abedin, Ahmad, Moeen, Mahdi, Kolahdouz, Mohammadreza, Luo, Jun, Guo, Yiluan, Chen, Tao, Yin, Huaxiang, Zhu, Huilong, Li, Junfeng, Zhao, Chao, Radamson, Henry H.

Журнал:

Radamson, Henry H., Kolahdouz, Mohammadreza

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.35 MB

english, 2015

Selective epitaxy growth of Si1−xGexlayers for MOSFETs and FinFETs

Журнал:

Journal of Materials Science: Materials in Electronics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.07 MB

english, 2015

Formation of Ni mono-germanosilicide on heavily B-doped epitaxial SiGe for ultra-shallow source/drain contacts

Isheden, Christian, Seger, Johan, Radamson, Henry H., Zhang, Shi-Li, Östling, Mikael

Журнал:

MRS Proceedings

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 281 KB

english, 2002

Thermoelectric energy harvesting using array of vertically aligned Al-doped ZnO nanorods

Norouzi, M., Kolahdouz, M., Ebrahimi, P., Ganjian, M., Soleimanzadeh, R., Narimani, K., Radamson, H.

Журнал:

Nanoscale Research Letters

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1007 KB

english, 2016

Integration of Selective Epitaxial Growth of SiGe/Ge Layers in 14nm Node FinFETs

Wang, G., Luo, J., Qin, C., Cui, H., Liu, J., Jia, K., Li, J., Yang, T., Li, J., Yin, H., Zhao, C., Ye, T., Yang, P., Jayakumar, G., Radamson, H. H.

Журнал:

ECS Transactions

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 779 KB

english, 2016

Integration of Highly Strained SiGe in Source and Drain with HK and MG for 22 nm Bulk PMOS Transistors

Wang, Guilei, Luo, Jun, Qin, Changliang, Liang, Renrong, Xu, Yefeng, Liu, Jinbiao, Li, Junfeng, Yin, Huaxiang, Yan, Jiang, Zhu, Huilong, Xu, Jun, Zhao, Chao, Radamson, Henry H., Ye, Tianchun

Журнал:

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.37 MB

english, 2017

Optimization of Selective Growth of SiGe for Source/Drain in 14nm and Beyond Nodes FinFETs

Radamson, Henry H., Luo, Jun, Qin, Changliang, Yin, Huaxiang, Zhu, Huilong, Zhao, Chao, Wang, Guilei

Журнал:

International Journal of High Speed Electronics and Systems

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.24 MB

english, 2017

Strained Si0.2Ge0.8/Ge multilayer Stacks Epitaxially Grown on a Low-/High-Temperature Ge Buffer Layer and Selective Wet-Etching of Germanium

Xie, Lu, Zhu, Huilong, Zhang, Yongkui, Ai, Xuezheng, Wang, Guilei, Li, Junjie, Du, Anyan, Kong, Zhenzhen, Yin, Xiaogen, Li, Chen, Zhao, Liheng, Li, Yangyang, Jia, Kunpeng, Li, Ben, Radamson, Henry H.

Журнал:

Nanomaterials

Рік:

2020

Файл:

PDF, 7.47 MB

2020

Growth, electrical properties and reciprocal lattice mapping characterization of heavily B-doped, highly strained silicon-molecular beam epitaxial structures

M.R. Sardela Jr., H.H. Radamson, J.O. Ekberg, J.-E. Sundgren, G.V. Hansson

Журнал:

Рік:

1994

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.00 MB

english, 1994

A silicon molecular beam epitaxy system dedicated to device-oriented material research

W.-X. Ni, J.O. Ekberg, K.B. Joelsson, H.H. Radamson, A. Henry, G.-D. Shen, G.V. Hansson

Журнал:

Рік:

1995

Мова:

english

Файл:

PDF, 786 KB

english, 1995

Characterization of highly boron-doped Si, Si1 − xGex and Ge layers by high-resolution transmission electron microscopy

H.H. Radamson, K.B. Joelsson, W.-X. Ni, L. Hultman, G.V. Hansson

Журнал:

Рік:

1995

Мова:

english

Файл:

PDF, 304 KB

english, 1995

The role of low temperature growth defects for the stability of strained Si/Si1−xGex heterostructures

H.H. Radamson, W.-X. Ni, G.V. Hansson

Журнал:

Рік:

1996

Мова:

english

Файл:

PDF, 260 KB

english, 1996

The effect of C on emitter–base design for a single-polysilicon SiGe:C HBT with an IDP emitter

Erik Haralson, Erdal Suvar, Gunnar Malm, Henry Radamson, Yong-Bin Wang, Mikael Östling

Журнал:

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 305 KB

english, 2004

NiSi integration in a non-selective base SiGeC HBT process

Erik Haralson, Erdal Suvar, B. Gunnar Malm, Henry Radamson, Yong-Bin Wang, Mikael Östling

Журнал:

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 368 KB

english, 2005

Incorporation of boron in SiGe(C) epitaxial layers grown by reduced pressure chemical vapor deposition

J. Hållstedt, A. Parent, M. Östling, H.H. Radamson

Журнал:

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 262 KB

english, 2005

Improvement in epitaxial quality of selectively grown Si1−xGex layers with low pattern sensitivity for CMOS applications

H.H. Radamson, J. Hållstedt, E. Suvar, C. Menon, M. Östling

Журнал:

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 323 KB

english, 2005

Phosphorus diffusion in the presence of threading dislocations in strain relaxed SiGe films

J.S. Christensen, A.Yu. Kuznetsov, A.E. Gunnaes, B.G. Svensson, H.H. Radamson

Журнал:

Physica B: Condensed Matter

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 266 KB

english, 2006

Vacancy-impurity pairs in n-type studied by positron spectroscopy

M. Rummukainen, J. Slotte, K. Saarinen, H.H. Radamson, J. Hållstedt, A.Yu. Kuznetsov

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 113 KB

english, 2006

Growth of high quality epitaxial Si1−x−yGexCy layers by using chemical vapor deposition

J. Hållstedt, E. Suvar, P.O.Å. Persson, L. Hultman, Y.-B. Wang, H.H. Radamson

Журнал:

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 141 KB

english, 2004

Characterization of leakage current related to a selectively grown collector in SiGeC heterojunction bipolar transistor structure

E Suvar, E Haralson, H.H Radamson, Y.-B Wang, J.V Grahn, B.G Malm, M Östling

Журнал:

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 149 KB

english, 2004

Mechanisms of diffusion-enhanced thermal stability of Si/Si1−xGex/Si heterostructures grown by chemical vapor deposition

A. Bentzen, C. Menon, H.H. Radamson

Журнал:

Microelectronic Engineering

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 291 KB

english, 2004

A Si/SiGe MOSFET utilizing low-temperature wafer bonding

S. Koliopoulou, P. Dimitrakis, D. Goustouridis, S. Chatzandroulis, P. Normand, D. Tsoukalas, H. Radamson

Журнал:

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 242 KB

english, 2005

A robust spacer gate process for deca-nanometer high-frequency MOSFETs

J. Hållstedt, P.-E. Hellström, Z. Zhang, B.G. Malm, J. Edholm, J. Lu, S.-L. Zhang, H.H. Radamson, M. Östling

Журнал:

Microelectronic Engineering

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 582 KB

english, 2006

PECVD-grown carbon nanotubes on silicon substrates with a nickel-seeded tip-growth structure

Y. Abdi, J. Koohsorkhi, J. Derakhshandeh, S. Mohajerzadeh, H. Hoseinzadegan, M.D. Robertson, J.C. Bennett, X. Wu, H. Radamson

Журнал:

Materials Science and Engineering: C

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 681 KB

english, 2006

pMOSFETs with recessed and selectively regrown Si1−xGex source/drain junctions

Christian Isheden, Per-Erik Hellström, Martin von Haartman, Henry H. Radamson, Mikael Östling

Журнал:

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 229 KB

english, 2005

SiGe/Si quantum structures as a thermistor material for low cost IR microbolometer focal plane arrays

J.Y. Andersson, P. Ericsson, H.H. Radamson, S.G.E. Wissmar, M. Kolahdouz

Журнал:

Joo-Hyung Kim, Alexander M. Grishin, Henry H. Radamson

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 897 KB

english, 2011

Properties of La0.75Sr0.25MnO3 films grown on Si substrate with Si1−xGex and Si1−yCy buffer layers

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 539 KB

english, 2006

Selective epitaxial growth of B-doped SiGe and HCl etch of Si for the formation of SiGe:B recessed source and drain (pMOS transistors)

H.H. Radamson, M. Kolahdouz, R. Ghandi, J. Hållstedt

Журнал:

J. Hållstedt, P.-E. Hellström, H.H. Radamson

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 316 KB

english, 2008

Sidewall transfer lithography for reliable fabrication of nanowires and deca-nanometer MOSFETs

Журнал:

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 318 KB

english, 2008

Defect density in non-selective and selective Si/SiGe structures

C. Menon, A. Bentzen, G. Landgren, H.H. Radamson

Журнал: